科学家为下一代高速电子工程发布新型2D材料

万磁王

CSIRO(联邦科学与工业研究组织)和RMIT(皇家墨尔本理工)大学制造出了一种新型二维材料，可能引起电子市场的革命，让市场变得更加‘纳米’。

这种材料由多层钼氧化合物晶体组成，它有一种独特的性能，能够激励电子以超高速自由移动。论文发布在科学杂志Advanced Materials上，研究者解释了他们如何利用石墨烯去创造有传导性的新型纳米材料。尽管石墨烯支持高速电子，然而它的物理性质阻碍了实际利用。
Serge Zhuikov 博士说：“新型的纳米材料由多层薄片构成，类似于铅笔中使用的石墨。在这些层级之间，电子能够高速猛冲、并伴随最小的散射。”
Kourosh Kalantar-zadeh 说道：“研究移除了阻碍电子移动的‘路障’，为高速电子工程提供了前提。传统材料中电子因为遭遇‘路障’而分散，而新材料内电子可以直接通过。得益于电子移动加快，我们能制造出更小、数据传输速率更高的设备。在我们用新型2D材料制造出真正的小物件前，这次突破是整个进程的基础。”
研究者声称用一种‘剥落’的方法创造此物质，大概11nm厚。它的电子流动性值(electron mobility values)>1,100cm2/Vs——超过了现有的低维度硅的工业标准。