美国在硅平台上成功生成GaN高电子迁移率晶体管结构
据美国伊利诺伊大学网站2017年1月9日公告，美国伊利诺伊大学工程学院的科研团队在硅基氮化镓(GaN)技术方面取得了明显进展，通过优化半导体层的构成与Veeco的IBM公司合作，在200mm硅衬底上生成了高电子迁移率晶体管(HEMT)结构，成本远低于以蓝宝石和碳化硅为基底的技术。由于硅的晶格常数与GaNg的原子结构不匹配，在其上生长的GaN会有许多变形和缺陷，会破坏2D电子气通道。伊利诺伊团队的解决办法是在硅和GaN层间引入作为缓冲层，研究发现厚一点的梯度AlGaN层可以减少穿透位错缺陷、降低应力，制成的晶体管结构的电子迁移率达到了1800cm2/V-sec。该团队目前的下一步工作是在硅平台上制造用于5G无线数据网络的全功能的高频GaNHEMT。
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